A NEW CIRCUIT CONFIGURATION FOR A SINGLE-TRANSISTOR CELL USING AL-GATE TECHNOLOGY WITH REDUCED DIMENSIONS.MEUSBURGER G.1977; I.E.E.E.J. SOLID-STATE CIRCUITS; U.S.A.; DA. 1977; VOL. 12; NO 3; PP. 253-257; BIBL. 9 REF.Article

DURCH SCHALTUNGSMASSNAHMEN ERHOEHTE SPEICHERZEIT BEIM EIN-TRANSISTOR-SPEICHERELEMENT. = AUGMENTATION, PAR DES MODIFICATIONS DE CIRCUIT, DU TEMPS DE STOCKAGE D'UN ELEMENT DE MEMOIRE A UN SEUL TRANSISTORMEUSBURGER G.1976; ELECTRON. LETTERS; G.B.; DA. 1976; VOL. 12; NO 6; PP. 140-141; ABS. ANGL.; BIBL. 5 REF.Article